Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
В работе охватывается широкий спектр вопросов, начиная от физико-химических свойств кремния и заканчивая, но не ограничиваясь следующими методами его выращивания, такими как метод Чохральского и зонная плавка. Особое внимание уделено технологическим параметрам, влияющим на качество кристаллов.

Ключевые слова:
монокристалл, кристаллическая решётка, кремний, полупроводник, фотоэлектрический элемент, методы очистки
Список литературы

1. Фаренбрух, А. Л. Солнечные элементы: теория и эксперимент / А. Л. Фаренбрух; Пер. с англ. И.П. Гавриловой, А.С. Даревского; Под ред. М.М. Колтуна. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 277, [1] с. ил.; 22.

2. Зиновьев В. Г., Карпов В. В., Фиалковский О. П. Процессы полупроводниковых производств. Учебное пособие. Часть I. — М.: МИТХТ им. М. В. Ломоносова, 2011 – 80с., ил. EDN: https://elibrary.ru/QMWPCH

3. Сумин, В. И. Особенности выбора членов экспертной группы для анализа функционирования сложной организационной системы силовых структур / В. И. Сумин, А. С. Дубровин, И. С. Кущева // Моделирование систем и процессов. – 2024. – Т. 17, № 4. – С. 77-83. – DOIhttps://doi.org/10.12737/2219-0767-2024-17-4-77-83. – EDN ISTAML.

4. Ватуев, А. С. Оптимизация методов испытаний и алгоритмов оценки стойкости полевых транзисторов к различным видам радиации с применением перспективного испытательного оборудования / А. С. Ватуев, А. А. Шарапов, А. И. Озеров // Моделирование систем и процессов. – 2024. – Т. 17, № 3. – С. 16-25. – DOIhttps://doi.org/10.12737/2219-0767-2024-14-23. – EDN QFRURQ.

5. Коробова, Л. А. Системный подход при решении прикладных медицинских диагностических задач / Л. А. Коробова, Т. А. О. Эйнуллаев, Р. В. Тэн // Моделирование систем и процессов. – 2024. – Т. 17, № 3. – С. 52-61. – DOIhttps://doi.org/10.12737/2219-0767-2024-50-59. – EDN PSBDLB.

6. Формализация верификации топологии и электрической схемы для систем автоматизированного проектирования / Т. В. Скворцова, К. В. Зольников, А. М. Плотников, И. В. Скоркин // Моделирование систем и процессов. – 2024. – Т. 17, № 3. – С. 61-70. – DOIhttps://doi.org/10.12737/2219-0767-2024-59-68. – EDN DUYQHJ.

Войти или Создать
* Забыли пароль?