АО "Научно-исследовательский институт электронной техники"
Россия
Россия
Воронежский государственный технический университет
Россия
В статье рассматриваются результаты испытаний ЭРИ на воздействие тяжелых заряженных частиц. Представлены данные, возникшие в процессе облучения одиночных радиационных эффектов. В процессе облучений образцов измерение интегрального потока (флюенса) ионов проводилось с помощью трековых детекторов. Для проведения испытаний применялась технологическая оснастка, реализующая режимы функционирования испытываемой аналоговоцифрового преобразователя и обеспечивающая измерение параметров-критериев годности. При облучениях образцов ионами возникновение тиристорного эффекта, катастрофического отказа и эффектов функционального прерывания не зарегистрировано.
тиристорный эффект, события сбоев переключения, события одиночных функциональных сбоев, тяжелые заряженные частицы, испытания
1. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления за-ряда в диэлектрике при радиационном воздействии / В. К. Зольников, В. П. Крюков, В. Н. Ачкасов, В. А.Скляр // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т.8. № 3. - С. 24-26.
2. Расчет изменения схемотехнических параметров при воздействии низкоинтенсивного излучения факторов космического пространства / К. В. Зольников, В. А. Скляр, В. П. Крюков, А. С. Грошев, К. А. Чубур // Моделирование систем и процессов. - 2015. - Т. 8. № 3. - С. 27 - 31.
3. Схемотехнический базис и проверка микросхем на работоспособность / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, А.В. Фомичев, В.Н. Чикин, А.В. Ачкасов, В.Ф. Зинченко // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 4. - С. 25-30.
4. Ягодкин, А.С. Современные САПР для электронной компонентной базы космического назначения / А.С. Ягодкин // Моделирование систем и процессов. - 2018. - Т. 11, № 4. - С. 92-97.
5. Условия эксплуатации нового поколения микросхем специального назначения / В.К. Зольников, В.П. Крюков, А.Ю. Кулай, М.В. Конарев, И.И. Струков, М.В. Солодилов // Моделирование систем и процессов. - 2017. - Т. 10, № 1. - С. 23-26.
6. Результаты оценки надежности микросхемы 1921ВК035 / В.К. Зольников, С.А. Евдокимова, Е.В. Грошева, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 42-46.
7. Анализ качества проектирования блоков ОЗУ в составе микропроцессорных систем с обеспечением минимальной сбоеустойчивости / В.К. Зольников, Ю.А. Чевычелов, В.В. Лавлинский, А.В. Ачкасов, А.В. Толкачев, О.В. Оксюта // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 47-55.
8. Анализ проектирования блоков RISC-процессора с учетом сбоеустойчивости / В.К. Зольников, А.С. Ягодкин, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова, А.И. Яньков // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 4. - С. 56-65.
9. Зольников, В.К. Моделирование и анализ производительности алгоритмов балансировки нагрузки облачных вычислений / В.К. Зольников, О.В. Оксюта, Н.Ф. Даюб // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 32-39.
10. Методы контроля надежности при разработке микросхем / К.В. Зольников, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова, А.Е. Гриднев // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 39-45.
11. Определение мероприятий по программе обеспечения качества работ проектирования и серийного производства микросхем и оценки их эффективности на примере СБИС 1867ВН016 / К.В. Зольников, А.С. Ягодкин, С.А. Евдокимова, Т.В. Скворцова // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 46-53.
12. Разработка проектной среды и оценка технологичности производства микросхемы с учетом стойкости к специальным факторам на примере СБИС 1867Ц6Ф / В.А. Скляр, В.А. Смерек, К.В. Зольников, Д.Н. Чернов, А.С. Ягодкин // Моделирование систем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 1. - С. 77-82.
