Россия
В настоящем документе рассматриваются переменные температурные характеристики устройств AlGaN/GaN HEMT. Дизайн конструкции устройства AlGaN/GaN HEMT и его основные характеристики при 300K были изучены с помощью программного обеспечения Silvaco simulator. В результате моделирования было установлено, что температура оказывает определенное влияние на передаточные характеристики, выходные характеристики и характеристики диапазонов энергопотребления, что влияет на рабочие характеристики устройства.
моделирование, материалы GaN, устройства GaN HEMT, температурные характеристики, Silvaco моделирование
1. Компьютерное моделирование работоспособности финишных процедур и паразитных элементов в программно-аппаратном комплексе проектирования микросхем / А. С. Ягодкин, Н. Н. Литвинов, П. С. Иванин, А. С. Грошев // Моделирование систем и процессов. – 2024. – Т. 17, № 3. – С. 106-115. – DOIhttps://doi.org/10.12737/2219-0767-2024-104-113. – EDN NICLOY.
2. Хуке М.А., Элиза С.А., Рахман Т. и др. Зависящая от температуры аналитическая модель для характеристик тока-напряжения алгана/ганского силового хемта [J]. Твердотельная электроника, 2009, 53(3) : 341-348.
3. Яо З.В., Чжу Х., Ли И.Л. и др. Изучение характеристик ловушек под обратным пьезоэлектрическим действием в устройствах AlGaN/GaN HEMT при комнатной температуре и низкой температуре [J]. Наука и техника, 2023, 38(5) : 35520-35528.
