Россия
Россия
с 01.01.2020 по настоящее время Воронеж, Воронежская область, Россия
В работе рассмотрены плюсы и минусы различных методик формирования контактов на системах SiO2/Si с ионными треками, заполненными нанокластерами ферромагнитных и немагнитных металлов, представлена схема измерения вольт-амперной характеристики (ВАХ) исследуемых образцов, проведен анализ магнетосопротивления при разных внешних условиях (температура, внешнее магнитное поле) в системах SiO2-Si с нанопорами и наночастицами Cu и Ni. Установлена температурная зависимость положительного магнетосопротивления, которое практически исчезает при температурах выше 150 К.
напыление, наночастицы, нанопоры, ионный трек, методика, магниточувствиельные структуры, модификация поверхности, тонкие пленки, вольт-амперная характеристика, барьер Шоттки, электрическая проводимость
1. Создание сенсоров магнитного поля на основе композиционных наноструктур с использованием технологии ионных треков / А.А. Столяров, В.Е. Сахаров, Д.Б. Омороков, Н.Ю. Евсикова // Теория и техника радиосвязи. – 2024. – № 4. – С. 76-81.
2. Омороков, Д.Б. Электрофизические свойства металлического осадка в латентном треке cистем SiO2 /Si/ металл / Д.Б. Омороков, Н.Ю. Евсикова // Физические основы современных технологий : материалы Международной научно-методической конференции, Воронеж, 25 октября 2023 года. – Воронеж: Воронежский государственный лесотехнический университет им. Г.Ф. Морозова, 2023. – С. 47-51.
3. Омороков, Д.Б. Особенности осаждения металла на подложку SiO2/Si с латентными треками / Д.Б. Омороков, Н.Ю. Евсикова // Донецкие чтения 2023: образование, наука, инновации, культура и вызовы современности : Материалы VIII Международной научной конференции, Донецк, 25-27 октября 2023 года. – Донецк: Донецкий государственный университет, 2023. – С. 142-145.
4. Наноструктуры систем Si/SiO2/металл с треками быстрых тяжелых ионов / С.Е. Демьянов, Е.Ю. Канюков, А.В. Петров, Е.К. Белоногов // Известия Российской академии наук. Серия физическая. – 2008. – Т. 72, № 9. – С. 1262-1264.
5. Сахаров, В.Е. Формирование наноструктур на поверхности системы SiO2/Si с латентными треками для преобразователей сигналов / В.Е. Сахаров, Д.Б. Омороков, Н.Ю. Евсикова // Теория и техника радиосвязи. – 2023. – № 4. – С. 55-59.
