Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Стойкость ИМС ко всякого рода радиации устанавливается различными видами интегральных схем, обладающих характерной структурой, критериями которых допускается за-фиксировать одиночные или множественные трансформации. В статье рассмотрено то, что значительное влияние на пригодность микросхем в ситуации воздействия ионизирующей радиации проявляются не пространственные явления в кремнии, а поверхностные эффекты, относящиеся к линии распределения кремний – диэлектрик

Ключевые слова:
функциональные параметры, схемотехническое моделирование, космическое излучение, радиационные эффекты, стойкость, диффузионная длина, ионизирующее излучение, эффекты смещения, статический коэффициент
Текст
Текст произведения (PDF): Читать Скачать
Список литературы

1. Ачкасов, А.В. Проектирование комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации космического пространства : монография / А.В. Ачкасов, В.К. Зольников, К.И. Таперо. - Воронеж : Воронежский государственный университет, 2006. - 156 с. - ISBN 5-9273-1085-0

2. Зольников, В.К. Задачи автоматизации проектирования современной радиационно-стойкой элементной базы / В.К. Зольников, А.В. Ачкасов // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». - Воронеж, 2005. - С. 61-62. 3. Першенков, В.С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. - М. : Энергоатомиздат, 1988. - С. 255 - ISBN 5-283-02942-5

3. Таперо, К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического пространства / К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. - 304 с. - ISBN 978-5-9963-0903-0.

4. Особенности технологического процесса изготовления микросхем космического назначения по технологии КМОП КНС / В.К. Зольников, С.А. Евдо-кимова, И.В. Журавлева, Е.А. Маклакова, А.А. Илунина // Моделирование си-стем и процессов. - 2020. - Т. 13, № 3. - С. 53-58.

5. Журавлева, И.В. Основные факторы ионизирующих излучений космического пространства, действующие на микросхемы / И.В. Журавлева // Моделирование систем и процессов. - 2019. - Т. 12, № 3. - С. 11-16.

Войти или Создать
* Забыли пароль?