Россия
Россия
Рассматривается влияние протонного облучения на полупроводниковые микросхемы оперативной памяти (ОЗУ) в условиях космического пространства. Актуальность темы обусловлена тем, что протоны космического излучения способны вызывать как мгновенные сбои в работе динамической и статической памяти (DRAM, SRAM, DDR), так и накопительное деградационное повреждение структуры, угрожающее надёжности бортовой аппаратуры. Приводится анализ физических механизмов воздействия протонов на элементы памяти и возникающих радиационных эффектов: одиночных сбоев (битовых ошибок), паразитных эффектов, деградации диэлектриков и накопления дефектов. Описаны типичные виды отказов памяти под действием ионизирующего излучения и их механизмы.
протонное облучение; оперативная память; радиационная стойкость; сбои; деградация; одиночный сбой, SEU
1. Liu Y., Cao R., Tian J. и др. Исследование эффектов одиночного события, обусловленных эффектами смещения повреждений под действием протонного облучения в статической оперативной памяти. Electronics, 2023, 12(24): 5028. DOI:https://doi.org/10.3390/electronics12245028
2. Pavan Kumar M., Lorenzo R. Обзор радиационно-устойчивых ячеек памяти для космических и наземных приложений. International Journal of Circuit Theory and Applications, 2023, 51(1): 27–63. DOI:https://doi.org/10.1002/cta.3429 EDN: https://elibrary.ru/ZCZLAW
3. Zhang B., Zhang S., Shen G. и др. Мониторинг одиночных сбоев и линейной передачи энергии космического излучения на навигационных спутниках Beidou. Open Astronomy, 2023, 32(1): 20220206. DOI:https://doi.org/10.1515/astro-2022-0206 EDN: https://elibrary.ru/TPLYYF
4. Sanchez-Cano B., Witasse O., Knutsen E.W. и др. События солнечных энергетических частиц, выявленные в данных обслуживания флотилии космических аппаратов ESA в Солнечной системе. Space Weather, 2023, 21(7): e2023SW003443. DOI:https://doi.org/10.1029/2023SW003443
5. Lee G.-J., Suh M., Ryu M. и др. Исследование деградации DDR4 DRAM под воздействием общего ионизирующего дозового эффекта. IEEE Access, 2023, 11: 97456–97465. DOI:https://doi.org/10.1109/ACCESS.2023.3312926. EDN: https://elibrary.ru/GHXZLX
